SI4532DY-E3 datasheet
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>> SI4532DY-E3 MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SI4532DY-E3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W
SI4532DY-E3 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
N and P-Channel
汲极/源极击穿电压
30 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
3.9 A, 3.5 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
65 mOhms, 85 mOhms
配置
Dual
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8 Narrow
封装
Tube
相关资料
属性
链接
代理商
SI4532DY-E3
SI4532DY-NL
SI4532DY-NL.
SI4532DY-T1
SI4532DY-T1-E3
SI4532DY-T1-E3/GE3
供应商
公司名
电话
深圳市杰世特电子有限公司
18927460633
林S
标准国际(香港)有限公司
0755-88607458
朱小姐
集好芯城
0755-83289799
陈先生 13360533550
深圳市华雄半导体(集团)有限公司
18988598856
雷精云
SI4532DY-E3 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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